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2N7002V中文资料

2N7002V图片

2N7002V外观图

  • 大小:75.42KB
  • 厂家:DIODES [Diodes Incorporated]
  • 描述:DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:280mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:7.5 欧姆 @ 50mA,5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:-
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:50pF @ 25V
  • 功率 - 最大:250mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:SOT-563,SOT-666
  • 供应商设备封装:SOT-563F
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:2N7002VTR

2N7002V供应商

更新时间:2023-01-08 07:58:38
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